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模塊電源技術(shù)的三大創(chuàng)新及趨勢

2018-04-19

    近日,第七屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2018產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會(huì)在深舉行,多家半導(dǎo)體公司參加,探討電源管理、存儲技術(shù)、毫米波雷達(dá)等領(lǐng)域的創(chuàng)新發(fā)展。其中就模塊電源技術(shù)提出了尺寸、EMI及效率三大問題,分析了這三大問題的創(chuàng)新及趨勢。

 

    在供電系統(tǒng)中,如果電流較大,做出調(diào)整不僅麻煩而且會(huì)遇到很多MOS管帶來的反饋回路,這就需要一個(gè)電源模塊。會(huì)議在模塊電源尺寸方面提出了超小體積、超薄、超大電流產(chǎn)品。針對目前小型化的趨勢,體積有望繼續(xù)縮小,功率密度仍有很大的提升空間。

 

    另一個(gè)要求是產(chǎn)品要薄,現(xiàn)在主要影響模塊厚度的因素是電感元件較高,導(dǎo)致產(chǎn)品降低不了厚度。市場上現(xiàn)在已經(jīng)有產(chǎn)品采用了另兩種方式,進(jìn)一步降低了產(chǎn)品的厚度,第一種是采用與主芯片共用散熱器,不用增加模塊厚度,電源雖然還是會(huì)發(fā)熱,但是系統(tǒng)設(shè)計(jì)較容易。第二種是貼在電路板背面,降低正面高度,缺點(diǎn)是背板的高度是有限制的。

 

    電源EMI主要指的是系統(tǒng)噪音及抗干擾性,在電路設(shè)計(jì)上,讓電流環(huán)在芯片上是兩個(gè)反方向的環(huán)路,當(dāng)環(huán)路是反向時(shí),產(chǎn)生的磁場就是反向的,從而互相抵消。形成一個(gè)閉環(huán)的回路,可以有效的降低磁場對外界的干擾。

 

    效率是電源最重要的參數(shù)之一,同時(shí)是功率損耗要解決散熱問題。主要原因是MOS管及電感不是理想產(chǎn)品,存在開關(guān)損耗和轉(zhuǎn)換效率問題。如果為了減少外圍器件的體積,將開關(guān)頻率提高,而頻率的提升又會(huì)導(dǎo)致開關(guān)損耗增大,效率難以提高,所以目前市面上最高的電源轉(zhuǎn)換效率一般為93%。

 

    綜合分析模塊在設(shè)計(jì)上需要減少體積、改善電源效率并且需要優(yōu)異的散熱特性。但在實(shí)際應(yīng)用中,需要針對不同領(lǐng)域做出不同的調(diào)整,如在有些場所模塊對低功耗、低紋波、高可靠性、長壽命使用等,這些都是不可忽視的方面。

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